勉強記録10/4‐ スペーサ層他

今日の勉強時間 8H
ハロワに行ったり出かけていたので10Hできず→明日取り戻す。
前田さんの半導体製造装置の本をついに購入。
amazonで6,000円くらいになっていたので定価の倍以上掛けるのはなんだかなぁと思って中古品を探していたら、旧カバー品も版が変わっていないとの情報が!卒業生さんのブログより
→→大変有難うございました。

<内訳>
〇講座視聴 8本 4H

2037_CVとマインドマップ
1136_トライアル合格体験記(1)
1174_時間制限があるトライアルにどう立ち向かうか
0252 特許明細書の書き方(1)
0036 特許庁HPにある知的財産権のテキストを読む 明細書の形式→おさらい
0820_特許明細書を発明原理から読み解く
→「トリーズ(TRIZ)の発明原理40」→読みたい本に追加
1486_半導体特許の誤訳研究
1432_CVDプロセスについて
→CVDについてはまだあまり勉強が出来ていないけど、
 CVDとドライエッチングでは使われる原理はほぼ同じでその原理を使って
 膜を堆積するのか、膜をエッチングするのかの違いってことっぽい。

〇ボッシュ圧力センサ(薄膜形成方法)対訳+調べもの 3.5H
→500word(40%完)
→今日は図面の記述が多く淡々と進む。
→スペーサ層:あまり定義が書かれている情報がなかったけど
 おそらく「膜と膜の間に挟まれた層で、その層があることで特性改善に
 寄与するようなもの」と言うことなんだろう。ただ今回の明細書の中では
 ただの間に挟まれた犠牲層な気がする。なぜわざわざspacer layerと
 しているのか。あと、スペーサ層はスペーサプロセスとは別物なので注意。
 明細書1本読んで1冊ノートが終わると言うのも普通にあり得る気がしてきた。

〇はじめての半導体ドライエッチング技術 読解+ノートまとめ 0.5H
→進めば進むほど面白くなってくる。
→読み方としてはまだ浅い感じなので、気になった箇所は再読して深堀する。
→今日視聴した半導体の講座シリーズで出てきた「チャージアップ」
明日チャージアップとその他エッチングにダメージを与える現象を詳しくまとめよう。

明日やること
・ボッシュ圧力センサ明細書対訳→徹底的に調べる。
・Varianシリーズ→遅れを取り戻す
・チャージアップについて調べる

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