デュアルダマシンCu配線方法について

昨日、自分の独り言で終わらせてしまったので、調べた情報を自分への確認も込めてシェアしたいと思います。

・デュアルダマシンCu配線とは

半導体製造プロセスにおける新しいドライエッチング技術の1つです。
ドライエッチングについての説明は別の機会にしたいと思います。
新しいと言っても、IBMがこのCu配線プロセスの採用を発表したのが1998年頃とのことですので、そこそこ年数は経っていますね。

・従来と何が違うのか

従来は、Al配線が使用されていました。
AlはSiとの相性が良く、価格も安く扱いやすい材料です。
しかし、半導体の微細化に伴い配線抵抗の増加と配線間容量の増加が問題になりました。信号遅延を招くからです。
　＊ちなみに、配線抵抗の増加は、配線が長くなったことに起因します。
　（抵抗の大きさは長さに比例するんでしたね＠高校物理）
　＊配線間容量の増加は、線幅が短くなったことに起因します。
　（コンデンサの容量増加は、電極面積が広くなるか電極間の距離が狭くなる
　　のが要因ですね＠高校物理）
信号の遅延時間は抵抗×容量に比例するとのことですので、微細化に付きまとう課題だったということですね。
信号遅延は、要は処理スピードの低下をもたらします。