今日の勉強時間 11H
＜内訳＞
〇講座視聴 2本 1H
2063_露天堀の重要性
2064_訳語確定のキモ
〇圧電アクチュエータ関連の明細書 請求項訳と見直し 7.5Ｈ
→見直しは一気にやった方が良いと思い、講座視聴は後回し。
昨日悩んだことでも今日別の観点から調べてみるとあっさり近いものと
思われるものが出てきて拍子抜け。調べ方によるんだなと痛感しました。
例えば、圧電セラミック状に形成された溝に金属を充填する工程で
drawing in with the assistance of negative pressure,と出てきました。
“吸引法”と仮訳をしていたのですが、どうもイメージが湧きませんでした。
金属を充填するのになぜ、吸引するのか？と。
昨日は「drawing 負圧 吸引」などと確か検索していたのですが、うまくヒットせず。
時間がなければこのままスルーするかもしれませんが、勉強も兼ねて今日再チャレンジしました。
今日は、「孔 金属 充填方法」などあえてdrawingはいれず、
充填方法を探すつもりで検索をかけました。すると、最初のページ内で
『溶融金属吸引法により作製した Au-Sn 充填貫通配線 』と言うのを見つけました。
ちなみにこの充填方法は、
溶融金属をチャンバー内にためる→減圧する→孔を有するターゲット基板を入れる
→チャンバ内を大気圧程度まで加圧する→微細孔内部とチャンバー内の圧力差により溶融金属が孔内に吸引される、とのこと。！！！
圧電アクチュエータの貫通配線方法としての吸引法は探しきれませんでしたが、
半導体関連での実施例もあり、原文の流れ的にも上記に似たものと考えてよさそうだ
と結論付けました。
検索方法、おそるべしです。
〇ボッシュプロセスについて（次世代LSIについて） 1.5H
内容：ボッシュプロセスの課題についてとボッシュプロセスの発展パターンについて
ボッシュプロセスの発展パターンについてのみ書くと、
MEMSだけではなく、複数のシリコンチップを積層させて超高集積な１チップを作るという技術に対応するもののようです。出てきた製造工程をかなりさらりと書くとこんな感じです。
①異なるシリコンチップを積層
②チップ間を貫く貫通孔（TSV:Through Silicon Via）を形成
③チップ間の接続が行われるように電極を埋め込む他
この貫通孔の形成にボッシュプロセスの応用版が活用されるとのことでした。
プロセスの詳細については、まだ私の勉強が追い付いていません。
今日の驚きは①にあるように異なるチップが積層されたデバイスの存在ですね。
この積層型の次世代LSIは、メモリやイメージセンサ等に既に量産もされているようです。メモリとCMOSの積層といった使われ方がされています。（ほー）３次元積層プロセスとか、３層積層型、３次元ＬＳＩといった呼ばれ方もしています。
【参照】
http://dc.watch.impress.co.jp/docs/news/1042895.html
〇橋本の物理 0.5H
磁界について
明日やること
・対訳
・Varianシリーズ
・ビデオ講座の視聴（トライアルシリーズ）
・橋本の物理
・物理の散歩道
+ハロワに行く
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