今日の勉強時間 11H →少なッ
＜内訳＞
〇講座視聴 2本 1.5H
2061_誤訳と言われないコメントの付け方
0733_トライアルレビュー（Ａ－２）
〇圧電アクチュエータ関連の明細書対訳 1000word 5H
→あとは請求項を残すのみ。
正直、日本語も英語もあやしいので、
関連する別の明細書の対訳も取っておきたい。
〇Varianシリーズ 2.5H
Varian－GC／MS特許を読む 53-56
〇読書 1H
アクチュエータ工学入門
物理の散歩道 ３巻
〇はじめての半導体ドライエッチング技術 読解＋ノートまとめ→読了 1H
→ボッシュプロセスについて
ついに登場した！MEMSにはよく使われているエッチング方法で前から
気になっていました。以下簡単に説明書きしておきます。
ちなみにMEMSのリーディングカンパニーと言えば、ボッシュです。
自動車部品メーカ又は工具メーカとして有名なあのドイツのボッシュですが、
自社の半導体Fabも持っていて、半導体（特にセンサ関連）の外販も
バリバリやっている会社（半導体メーカ）です。
【参考】http://www.bosch.co.jp/press/group-1409-03/
●ボッシュプロセスについてまとめ
[これまでの理解]
・Siをめちゃくちゃ深堀り出来る技術
[今日の理解]
・SF6ガス中でSiをエッチングするエッチングモードと
C4F8ガスが流れている際にポリマーを堆積させるパッシベーションモードを
交互に繰り返すことで、深堀を実現する。
・パッシベーションモードでポリマーを堆積することでSiがラジカルのアタックから
保護されるため、Siが過剰にエッチングされることなく、深くエッチングが出来る
（＝高アスペクト比の溝の形成を可能にする）
・さらに、どこまでアスペクト比を大きくできるかを、上記２工程に酸素プラズマを
当てる工程を追加することによって検証する研究がされている。
保護しながら掘るということですね。個人的にはとても興味深いので、
明日もう少し資料を印刷して少しずつ読んでいきたいと思います。
今日これまで読んできた「はじめての半導体ドライエッチング技術」の本を読み終えました。
理解不足の部分や浅い部分もあると思いますが、ちょっとした達成感です。
明日やること
・対訳（請求項＋見直し）→次の明細書
・Varianシリーズ
・ビデオ講座の視聴（トライアルシリーズ）
・橋本の物理
・物理の散歩道
コメントを残す